欢迎来到深圳市腾恩科技有限公司官方网站！
NSI6602VA-DLAMR
最新产品发布:
光MOS继电器：1500v,3750Vrms,6pin;
逻辑10Mbp高隔离光耦：7500Vmrs，10Mbps，Lsop8
产品概括
这是一款采用二氧化硅（SiO2）作为隔离层的隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件，高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能和高可靠性使得该芯片广泛适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。
需要更多信息 联系我们
产品详情
| Mfr Part | Mfr | Package | Number of Channels | Voltage - Isolation | Common Mode Transient Immunity (Min) | Propagation Delay tpLH / tpHL (Max) | Current - Output High, Low | Voltage - Output Supply | Operating Temperature |
| NSI6602VA-DLAMR | novosn | LGA13 | 2 | 1.6kVrms | 100kV/µs | 6/-8A | 6~30v | -40°C ~ 125°C |
相关应用
国产替换
国产数字隔离器
国产光耦_高低压隔离_信号放大_信号反馈
国产可控硅驱动光耦
国产SSR固态光耦
国产高速光耦
国产接口收发器
国产IGBT驱动隔离芯片
国产隔离芯片
国产继电器光耦
国产光控继电器
周一至周日 9:00-18:00（欢迎来电咨询）
0755-82705922-811
TEL：0755-82705922-811FAX：0755-82705933E-mail：sales@tenand.comADD：深圳市福田区深南中路3039号国际文化大厦20层2001A单元
版权所有：深圳市腾恩科技有限公司|光耦继电器生产厂家,代理商,优势供应商,想了解更多选型表,电路参考,替换,交期好请联系我们. 粤ICP备17021345号