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BM6GD11BFJ-LBE2
最新产品发布:
光MOS继电器：1500v,3750Vrms,6pin;
逻辑10Mbp高隔离光耦：7500Vmrs，10Mbps，Lsop8
产品概括
这是一款采用二氧化硅（SiO2）作为隔离层的隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件，高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能和高可靠性使得该芯片广泛适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。
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产品详情
| Mfr Part | Mfr | Package | Number of Channels | Voltage - Isolation | Common Mode Transient Immunity (Min) | Propagation Delay tpLH / tpHL (Max) | Current - Output High, Low | Voltage - Output Supply | Operating Temperature | |
| BM6GD11BFJ-LBE2 | Rohm Semiconductor | SOP8(3.9x1.27) | 1 | 2500Vrms | 150kV/µs | 60ns，60ns | 2A，2A | 4.5V ~ 6V | -40°C ~ 125°C | |
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