使用智能门驱动耦合器，如TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222等产品时，如何设计周边电路以有效利用VCE(sat)检测功能。VCE(sat)检测，也称为DESAT检测，是一种保护机制，用于在功率半导体开关设备（如IGBT、Si或SiC-MOSFET、GaN-FET）发生过电流时检测集电极或漏极电压的上升，并触发关闭信号以保护设备。

在设计过程中，可能会因为负载的电感、其他相位开关时产生的噪声、或电磁感应等原因，导致DESAT检测电路发生误检测。为了降低这种误检测的可能性，提供了一系列的设计提示。

在DESAT检测电路的设计中，当功率器件的集电极或漏极电压超过预设的VDESAT值时，SGD耦合器会停止驱动功率器件，并从FAULT_N终端输出故障信号。例如，在使用TLP5214A驱动IGBT时，如果IGBT导通（VOUT为高电平），DESAT终端会流出ICHG电流，CBLANK通过RDESAT和DDESAT充电，但由于IGBT饱和，CBLANK不会充电到DESAT阈值电压VDESAT。如果IGBT的VCE因过电流而上升，CBLANK开始充电，一旦DESAT终端超过VDESAT，SGD耦合器将检测到IGBT的DESAT状态，并输出FAULT_N信号。如图1.1所示

噪声侵入路径的问题，指出由于功率器件与SGD之间的距离，连接两者的线路可能会引入电磁干扰。在多相逆变器应用中，其他相的开关可能会通过寄生电容引入噪声，导致DESAT检测电路误检测。因此，建议在布线时避免DESAT检测线路与电流脉冲线路或大电位波动节点的线路相邻，并尽可能将RDESAT、DDESAT和CBLANK放置在SGD附近，以最大化低通滤波效果。

在确定DESAT检测电路的常数时，提供了关于CBLANK和RDESAT值的指导，以及如何选择DDESAT。如果设定的tBLANK时间为5微秒，而TLP5214A的标准ICHG值为240微安，则CBLANK应选择约200皮法。