MOSFET/IGBT的栅极充电或放电所需的时间决定了器件的开关速度。实际使用中会增加一个外部串联栅极电阻，以便调节栅极电压的上升/下降时间，并可以限制栅极驱动器IC的功耗。将功率器件建模为一个电容和带MOSFET输出级的栅极驱动器，并通过外部串联栅极电阻运行，我们便得到图3所示的RC电路。在此简化模型中，峰值拉电流方程为IPK_SRC = VDD/(RDS(ON)_P + REXT)，峰值灌电流方程为IPK_SNK = VDD/(RDS(ON)_N + REXT)。对于短路峰值电流测量， REXT设置为0Ω，但在应用中，存在一个外部串联电阻。
其中：
RDS(ON)_N 为栅极驱动器NMOS的导通电阻。
RDS(ON)_P 为栅极驱动器PMOS的导通电阻。
REXT为外部串联栅极电阻。
CGATE_EQUIV 为功率器件的等效电容。