国产光耦继电器得到突破性的进步

2019-07-23 14:16:49 发表

因为国际形势的大变化,国产光耦受到市场的青睐,大家奋军而上,最近一年技术得到大突破,特别是开发出了不同封装规格的光耦继电器,以下是最近最新出的一款高电流输出,低导通电阻可以达到1欧以下的微型SOP4封装光耦继电器:

产品MQY212HLS由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级耦合到高电压输出光探测电路。光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成,用以开启/关断两个独立的高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),一个最小5mA的电流流经输入级红外发光二级管可确保继电器动作。当加在输入级红外发光二级管的正向压降为0.8V或更小值时,继电器可确保复位。

特点:

  1. 微型光MOS固态继电器。Micro Photo MOSFET Solid State RELAY
    2.单通道常开型单刀单掷继电器。
    3.负载电压60V,输出耐压。
    4.负载电流500mA,额定电流.
    5.低输入电流,CMOS兼容。
    6.非常快的开关速度:典型值1.0ms(Ton),0.2ms(Toff),
    7.高绝缘隔离耐压:3750Vrms
    应用:1.电信切换。
    2.数据通讯。
    3.电池管理。
    4.工业控制。
    5.医疗设备。
    6.EMR/机械继电器替代。
    QQ图片20190723223300.png1.输入端:
    正向电流25mA
    反向电压5v
    耗散功率50mW

    输出端:
    开关电压60v
    连续通态电流500mA
    耗散功率200mW

    隔离电压3750vrms

  2. 光电参数
    输入端:
    正向电压1.2v
    反向电流10uA
    动作电流2mA
    复位电流0.35mA
    输入端:
    断态漏电流1uA
    低导通电阻0.5欧
    输出电容500pF
    动作时间1ms
    复位时间0.2ms
    耦合电容0.5pF
    绝缘电压3750vrms

  3. 可替换产品AQY212S,ASSR-1218,ASSR-1410,ASSR-1510,TLP170A,TLP172A,TLP3122,TLP3127,VO1400,G3VM-61VY2,G3VM-61VY3,G3VM-61G2,G3VM-61G3,G3VM-61VY

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